IGBT 全称为绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管(BJT)和 MOSFET
组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有 MOSFET 高输入阻抗和双
极型三极管(BJT) 的低导通压降两方面的优点,与功率 MOSFET 相比,更侧
重于大电流、低频应用领域。
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